
Los módulos de memoria DDR3 ofrecen las siguientes novedades frente a
los módulos DDR2: la tensión estándar es de sólo 1.5 V (un 16% menos que
los DDR2), por lo que disminuye el consumo de energía y la emisión de
calor de los módulos. La memoria DDR3 dispone ahora de 8 bancos internos
de memoria (DDR2: 4), lo que conlleva una mejora del rendimiento,
especialmente en el enorme aumento de la capacidad de almacenamiento. La
nueva topología Fly-by se encarga de mejorar la integridad de la señal
logrando un funcionamiento estable incluso con frecuencias altas.
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